【摘要】 本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其 器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸 收, 利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管, 它包括有衬 底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层, 其中 磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量 子阱发光区, 各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本 发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低, 因此具有实用 性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080北京市海淀区清华东路35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98100008.8 【申请日】1998-01-06 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1222769A 【公开公告日】1999-07-14 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1084055C 【授权公告日】2002-05-01 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/06; H01L33/24 【发明人】王国宏; 马骁宇; 曹青; 王树堂; 李玉璋; 陈良惠 【主权项内容】1．一种高效发光二极管及其制造方法，其特征在于：它包括有衬底、 下限制层、活型区(发光区)、上限制层、扩展区和欧姆接触层；其中在具有 第一导电型的砷化镓衬底上，用化学气相淀积(MOCVD)方法先生长厚度在1 -2微米之间的第一导电型的磷化铝镓铟(AlGaInP)限制层；然后生长厚度 在0.1-1微米之间的一个非故意掺杂的磷化铝镓铟(AlGaInP)单层或多层量 子阱结构活型区(发光区)；再生长厚度在1-2微米之间的具有第二导电型 的磷化铝镓铟(AlGaInP)上限制层；接着生长厚度大于5微米的具有第二导 电型的砷化铝镓(AlGaAs)/砷化铝(AlAs)/砷化铝镓(AlGaAs)夹层 结构的电流扩展层，并掺入少量磷；最后生长一个具有第二导电类型的砷化 镓(GaAs)欧姆接触层。在材料生长完成后，利用光刻掩蔽化学腐蚀方法 从材料上表面将夹层结构的电流扩展层中的砷化铝结晶层暴露出来，形成氧 化窗口，最后利用真空蒸镀技术在材料上下表面分别形成相应导电类型的 金属电极。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】3.0 【被引证次数】20.0 【他引次数】3.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】17.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】21.0

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