【摘要】 本发明涉及真空沉积薄膜技术领域, 针对现有方 法无法在复杂工件表面合成质量优良的高硬度薄膜, 分别采用 碳作为金属等离子体源, 氮作气体等离子体源, 在具有复杂形状 的工件表面形成类金刚石薄膜或碳氮化合物薄膜。本发明所述 的方法, 可以在形状复杂的工件表面合成具有超高硬度、较高结 合力、耐磨损、耐腐蚀的薄膜, 主要应用于人工器官表面改性领 域。 【专利类型】发明申请 【申请人】西南交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610031四川省成都市 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN98111833.X 【申请日】1998-01-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1224772A 【公开公告日】1999-08-04 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1141415C 【授权公告日】2004-03-10 【授权公告年份】2004.0 【IPC分类号】C23C14/48; C23C14/04 【发明人】黄楠; 冷永祥; 杨萍; 陈俊英; 孙鸿 【主权项内容】1．一种碳基薄膜合成方法，利用等离子体浸没离子注入装置，将碳等离子体由金属 弧源引出，经过弯管外安装的偏转电磁线圈的偏转作用而滤掉中性原子及粒子，并经弯 管与真空室结合处的扫描电磁线圈的扫描而进入真空室，其特征在于以石墨作为材料将 碳等离子体引入真空室，产生和引出碳等离子体的参数为：触发电压2-12KV, 电流200- 600mA，触发频率10-200Hz，脉冲宽度50-500μs，起弧电压50-500V, 电流10-100A，磁 偏转线圈的电压100-1000V，电流5-50A，扫描电压为100-2000V，扫描电流为5-30A，碳等 离子体密度为5×108-1×1010/cm3，先在样品台上施加一直流负电压并使样品台旋转， 电压幅值为8-10kv，沉积5-10分钟，随后调低直流负电压，电压幅值为0.1-0.5kv， 碳离子轰击的流强为10-100mA，样品台旋转速度为0.5-10转/分，薄膜的沉积速率 为1-20埃/秒，在复杂的工件表面获得均匀的纯碳超硬类金刚石薄膜。 【当前权利人】成都拜尔麦迪克医疗科技有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流县成都市双流西南航空港经济开发区工业集中区(西航港科技企业孵化中心) 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000450752090P 【被引证次数】11.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】10.0 【家族被引证次数】11.0

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