【摘要】 一种E2PROM集成电路, 它包括半导体衬底、位于衬底上的E2PROM存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层, 其中所述E2PROM集成电路还包括覆盖需要保护的E2PROM存储单元阵列至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附加金属膜, 所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。所述附加金属膜的形状可以是片状、网状或丝状。所述附加金属膜是在所述介质层上形成上层金属互连的同时形成的。 【专利类型】实用新型 【申请人】上海贝岭微电子制造有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】200233上海市宜山路810号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】徐汇区 【申请号】CN98214245.5 【申请日】1998-07-13 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2341279Y 【公开公告日】1999-09-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2341279Y 【授权公告日】1999-09-29 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】H01L27/112 【发明人】张征 【主权项内容】1．一种E2PROM集成电路，它包括半导体衬底、位于衬底上的E2PROM存储 单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层，其特征在于所述E2PROM集成 电路还包括覆盖E2PROM存储单元阵列的至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附 加金属膜，所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。 【当前权利人】上海贝岭股份有限公司 【当前专利权人地址】上海市徐汇区宜山路810号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】91310000664359235J

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