【摘要】 本实用新型是分辨力自增掩模板，属于对光刻机 光刻系统中掩模板结构的进一步改进。其特征是根据掩模板下 表面的掩模图形的形状和特征线宽，上表面刻蚀相应宽度和形 状相位光栅或图形，将产生离轴照明的相位光栅或图形与传统 掩模板结合为一体结构。使掩模板本身具有离轴照明功能，能 量无损失，均匀性好，改变三束光成像为二束光成像，使光刻 分辨力和焦深得到提高，而设备不需作任何改变。在接触接近 式光刻中应用效果也同样。 【专利类型】实用新型 【申请人】中国科学院光电技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】610209四川省成都市双流350信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN98229445.X 【申请日】1998-09-03 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2352973Y 【公开公告日】1999-12-08 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2352973Y 【授权公告日】1999-12-08 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】G03F1/14; G03F1/26 【发明人】陈旭南; 罗先刚 【主权项内容】1．光刻机光刻系统中的分辨力自增掩模板，下表面作有需要光刻 的掩模图形，其特征在于根据掩模板(9)下表面的掩模图形(10)的形 状和特征线宽，掩模板的上表面刻有相应宽度和形状的相位光栅或相 位图形(8)，刻蚀深度相同，其值为(0.5～1.5)λ，其中λ为光刻波长。 【当前权利人】中国科学院光电技术研究所 【当前专利权人地址】四川省成都市双流350信箱 【统一社会信用代码】12100000450811820A 【被引证次数】1.0 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0

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