【摘要】 本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮 化硅的工艺, 无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸 物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产 酸物∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。用上述光刻 胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶, 烘干, 掩膜曝光, 再 用稀释氢氟酸气体腐蚀, 洗去硅片表面的光刻胶, 即得正性光刻 图形。 【专利类型】发明申请 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084北京市海淀区清华园 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98117966.5 【申请日】1998-09-11 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1214468A 【公开公告日】1999-04-21 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1074840C 【授权公告日】2001-11-14 【授权公告年份】2001.0 【IPC分类号】G03F7/00; G03F7/029; H01L21/02; H01L21/308 【发明人】段生权; 王培清; 张斌; 王小兵; 陈永麒; 洪啸吟 【主权项内容】1、一种酸性无显影气相光刻胶，其特征在于光刻胶的组成(重量百分比)为： 成膜物质：？？？？8～9％ 增成剂：？？？？？？0.5～1.0％ 光敏产酸物：？？0.5～1.0％ 溶剂：？？？？？？？？90％ 上述的成膜物质为肉桂酸类树脂或丙烯酸类树脂，增感剂为5-硝基苊、吩噻嗪 衍生物、1-羟基环己基苯甲酮或安息香二甲醚中的任何一种，光敏产酸物为二芳基碘 鎓盐或三芳基硫鎓盐，溶剂为N, N-二甲基甲酰胺或乙酸乙二醇乙醚，将上述物质按比 例混合，待聚合物完全溶解后，即为酸性无显影气相光刻胶。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【被引证次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0

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