【摘要】一种槽形栅静电感应器件, 包括下层为型低阻 层、上层为N-型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、 栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层, 硅衬底片的上表面是N+ 型源区, 硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽, 每条槽的底部 是P+型栅
【摘要】 右视图与左视图对称, 省略右视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】正华 【申请人类型】个人 【申请人地址】644000四川省宜宾市长宁县竹都大道19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宜宾市 【申请人区县】长宁县 【申请号】CN98314397.8 【申请日】1998-05-12 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3102628D 【公开公告日】1999-02-17 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3102628D 【授权公告日】1999-02-17 【授权公告年份】1999.0 【发明人】正华; 邱向阳 【主权项内容】无 【当前权利人】正华 【当前专利权人地址】四川省宜宾市长宁县竹都大道19号
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