【摘要】 一种槽形栅静电感应器件, 包括下层为型低阻 层、上层为N－型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、 栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层, 硅衬底片的上表面是N+ 型源区, 硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽, 每条槽的底部 是P+型栅区, 硅衬底片的下层低阻层是漏区, 漏区的下面是漏电 极金属层, 源区的上面连接掺磷多晶硅层, 该掺磷多晶硅层与源 电极金属层连接, 每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层, 侧面绝缘层 的上面连接掺磷多晶硅层。它可以提高电流密度、改善电流均 匀性、降低工艺难度、减少生产成本。它用于集成电路制造业。 微信 【专利类型】实用新型 【申请人】李思敏 【申请人类型】个人 【申请人地址】100011北京市朝阳区安华西里三区8－3－202 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN98218523.5 【申请日】1998-08-25 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2348492Y 【公开公告日】1999-11-10 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2348492Y 【授权公告日】1999-11-10 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】H01L29/80; H01L29/66 【发明人】李思敏 【主权项内容】1．一种槽形栅静电感应器件，包括下层为型低阻层、上层为N-型高阻层的 硅衬底片、源区及源电极金属层、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层，硅衬底 片的上表面是N+型源区，硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽，每条槽的底部 是P+型栅区，硅衬底片的下层低阻层是漏区，漏区的下面是漏电极金属层，其特 征在于： 所述源区的上面连接掺磷多晶硅层，该掺磷多晶硅层与源电极金属层连接， 所述每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层，侧面绝缘层的上面连接掺磷多晶硅层。 【当前权利人】李思敏 【当前专利权人地址】北京市朝阳区安华西里三区8－3－202 【引证次数】5.0 【被引证次数】1.0 【他引次数】5.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1.0

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