【摘要】 本发明涉及一种无机非金属材料工艺。该工艺的Cu2In2O5薄膜制备过程分为四个步骤 : (1)前体溶液配制, 将乙酸酮溶于2－甲氧基乙醇中; 将三氯化铟或丙醇铟溶于2－甲氧基乙醇中, 并将该溶液与乙酸酮溶液充分反应, 最后加入甲酰胺。(2)基底准备, 采用低碱玻璃作为基底, 需经清洗。(3)旋转涂膜, 涂膜过程在光刻匀胶机上进行。(4)热处理, 将得到的薄膜进行干燥与退火的热处理。最后Se化Cu2In2O5薄膜, 即得到CuInSe2多晶薄膜。该工艺设备简单, 成本低, 易控制薄膜厚度和化学计量化。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国地质大学(北京) 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083北京市海淀区学院路29号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98100036.3 【申请日】1998-01-16 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1223474A 【公开公告日】1999-07-21 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1087872C 【授权公告日】2002-07-17 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】杨静; 马鸿文 【主权项内容】1、一种制备CuInSe2半导体薄膜的溶胶-凝胶-Se化工艺，其特征在于： 该工艺分为两个工艺过程，即制备Cu2In2O5薄膜过程和Se化Cu2In2O5薄膜过 程， (一)制备Cu2In2O5薄膜过程，该过程分为下述的四个步骤： (1)前体溶液配制步骤：将乙酸铜以1∶2-1∶5(重量比)的比例 溶于2-甲氧基乙醇中，在90-100℃下进行磁力搅拌1-4小时，使之充分 混合，将三氯化铟或丙醇铟以1∶3-1∶5(重量比)的比例溶于2-甲氧 基乙醇中，超声振荡混匀，将该溶液加入已冷却到70℃-90℃的前述配制的 乙酸铜溶液中，进行磁力搅拌，使之充分反应，然后在该混合溶液中，加入冰 乙酸、去离子水和2-甲氧基乙醇，使得该混合溶液中：水/醇=1∶6-1∶ 1.5(体积比)，乙酸/醇=1∶7-1∶2(体积比)，从而得到均匀透明无 沉淀的绿色溶胶溶液，并且溶液中的Cn和In的浓度分别为0.3M-0.8M，最 后，在该溶液中加入3-6％(体积比)的甲酰胺， (2)基底准备步骤：采用低碱玻璃(SiO2-Al2O3-B2O3-RO系)作为基 底，并清洗基底， (3)旋转涂膜步骤：涂膜过程在光刻匀胶机上进行，转速为2500-4500 转/分，匀胶时间为20-40秒，一次涂膜所得厚度约50-90nm， (4)热处理步骤：该步骤有两个热处理工序：干燥与退火，即将所得到 的薄膜进行干燥，干燥温度为350℃-400℃，然后进行退火，晶化温度为450 -500℃，时间均为30-60分钟，干燥和退火之间的升温速率为2-3℃/ 分，该热处理结束后断电，薄膜随炉自然冷却， (二)Se化Cu2In2O5薄膜过程 Se化上述得到的薄膜的过程在封闭系统中进行，真空度不低于10-1Pa, Se化温度为350-400℃，时间为30-90分钟，升温速率为2-3℃/分钟，该 热处理结束后，薄膜随炉自然冷却。这样，就得到了CuInSe2多晶薄膜。 【当前权利人】中国地质大学(北京) 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路29号 【统一社会信用代码】12100000400001221L 【被引证次数】12.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】15.0

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