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一种高梯度场磁处理器专利

时间:2026-05-26    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本实用新型涉及一种高梯度场磁处理器, 由外壳 及磁路装置构成, 外壳为铁质的密闭套筒, 磁路装置包括上下内 置体设置一对装有稀土永磁体的组合件, 上下永磁体中间设置 铁质材料导磁板, 前后两侧在永磁体上下两极边缘间设两片与 磁路走向同方向的磁片, 在内置体边环侧有铁质槽形导磁铁; 在 磁路装置的前后分别装置气、液态物质导流槽。其形成磁化区 域内均匀强磁场及边缘的高梯度场强, 适用于对气、液态物质的 磁化, 从而达降低损耗的作用。 【专利类型】实用新型 【申请人】孟祥林; 王亮 【申请人类型】个人 【申请人地址】100029北京市朝阳区小关北安苑东里一区14号计量科研所内宿舍楼7门601号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN98206048.3 【申请日】1998-06-23 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2334750Y 【公开公告日】1999-08-25 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2334750Y 【授权公告日】1999-08-25 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】C02F1/48 【发明人】孟祥林; 王亮 【主权项内容】1、一种高梯度场磁处理器,由外壳及磁路装置构成,其特征在于:所述 的外壳为一铁质的密闭套筒,所述的磁路装置包括上下内置体设置一对装有稀 土永磁体的组合件,上下永磁体中间处设置一铁质材料导磁板,前后两侧在永 磁体上下两极边缘间设置两片与磁路走向同方向的磁片,在内置体的边环侧有 一套铁质槽形导磁铁;在磁路装置的前后分别装置气、液态物质导流槽。 【当前权利人】孟祥林; 王亮 【当前专利权人地址】北京市朝阳区小关北安苑东里一区14号计量科研所内宿舍楼7门601号; 【被引证次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4.0

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