【摘要】一种插塞的制造方法,包括下列步骤:首先提供 基底,此基底上形成有介电层,介电层上形成有开口,开口暴 露出基底上用来导通其它结构的区域。然后形成黏着层覆盖开 口中用来导通其它结构的区域。接着形成插塞物质层于开口 中,并且蚀刻插塞物质层
【专利类型】外观设计 【申请人】张洪晓 【申请人类型】个人 【申请人地址】132001吉林省吉林市重庆街92号吉铁锅炉检验所 【申请人地区】中国 【申请人城市】吉林市 【申请人区县】船营区 【申请号】CN98305842.3 【申请日】1998-11-28 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3118529D 【公开公告日】1999-08-18 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3118529D 【授权公告日】1999-08-18 【授权公告年份】1999.0 【发明人】张洪晓 【主权项内容】无 【当前权利人】张洪晓 【当前专利权人地址】吉林省吉林市重庆街92号吉铁锅炉检验所
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