【摘要】 本发明的名称为一种Al-Ga复合扩散掺杂方法。属于电力半导体功率器件制造工艺技术领域。它主要是解决现有Al-Ga杂质同步扩散时互相干扰、影响均匀性的问题。它的主要特征是：⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围进行铝杂质源预沉积恒温扩散；⑶再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。本发明具有可显著改善P型扩散掺杂的均匀性、重复性、降低成本、提高工效的特点，用于电力半导体功率器件制造中铝镓杂质复合扩散掺杂工艺。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】湖北台基半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】441021 湖北省襄樊市襄阳市襄城区胜利街162号 【申请人地区】中国 【申请人城市】襄阳市 【申请人区县】襄城区 【申请号】CN201210554051.X 【申请日】2012-12-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103887153A 【公开公告日】2014-06-25 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103887153B 【授权公告日】2017-11-21 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H01L21/22; H01L21/228 【发明人】杨宁; 张桥; 周霖; 楚奇 【主权项内容】一种Al-Ga复合扩散掺杂方法，其特征在于包括以下工艺步骤：⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再按顺序分别装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵先将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围，并进行铝杂质源预沉积恒温扩散；⑶之后再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围，并同时进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。 【当前权利人】湖北台基半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】湖北省襄樊市襄阳市襄城区胜利街162号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91420600757011852J 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0

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