【摘要】 本发明涉及一种复相陶瓷发热元件制备方法，所述制备方法为：将原料碳化硅10～95重量份、二硅化钼0.1～20重量份和氧化物0.1～15，在去离子水中混合后，在搅拌磨中混磨，加入分散剂再混磨；然后通过喷雾干燥造粒制备得到复相陶瓷粉体；用干压或冷等静压成型，得素坯；将素坯在真空或惰性气体保护的碳管电阻炉中烧结而成复相陶瓷发热元件。本发明制备的复相陶瓷发热元件点火时对外界与人体不产生电子干涉，气体燃烧完全，无有害物质排放，同时具有使用寿命长、抗氧化等优点；原料易得，主要采用了地球上最丰富的硅元素为主要原料组成，而不采用稀缺元素；不含对环境污染的重金属-铅，具有非常好的环保性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江晟翔电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】322300 浙江省金华市磐安县磐安工业园区尖山镇同心街168号 【申请人地区】中国 【申请人城市】金华市 【申请人区县】磐安县 【申请号】CN201210534170.9 【申请日】2012-12-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102976757B 【公开公告日】2014-05-28 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102976757B 【授权公告日】2014-05-28 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C04B35/565; C04B35/622 【发明人】秦明; 刘亚飞 【主权项内容】一种高温电阻率可调节的复相陶瓷发热元件的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括下述步骤：(1)将原料碳化硅85重量份、二硅化钼6重量份、氮化铝4重量份、氧化锆1重量份、氧化钛5重量份，在去离子水中混和，形成混合浆料，其中，浆料的固含量为60wt%；用碳化硅小球作研磨介质，在搅拌磨中混磨60分钟后，加入分散剂聚乙烯亚胺1.5重量份后再混磨6小时，混磨后得到的混合浆料pH值为10；(2)通过喷雾干燥造粒制备出复相陶瓷造粒粉体，其平均粒度为80μm；喷雾干燥造粒过程中，进口温度控制在170～180℃，出口温度控制在85～95℃，复相陶瓷粉体的含水量控制在1.5wt%；(3)采用干压成型，成型时，压力控制在150MPa；(4)采用无压烧结烧结工艺，在氩气保护的碳电阻炉2050℃温度下，保温0.5小时烧结而成复相陶瓷发热元件。 【当前权利人】宁波沃甘电子科技有限公司 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91330727798557675Y 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】11

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791767386.html