【摘要】 本发明涉及到一种二硒化钨纳米线的制备方法，特别是一种高取向性二硒化钨(WSe2)纳米线的制备方法，具体是采用两步反应法，首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质，以CTAB为络合剂，纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂，采用水热方法制备出WO2纳米线，然后再将这种纳米线用纯度为99.9％以上的高纯硒硒化，获得了高取向性的二硒化钨纳米线。本发明是一种简单环保的方法，反应过程中采用WO2纳米线作为钨源，采用纯度为99.9％以上的高纯Se硒化，既缩短了反应时间、又避免了H2S、H2等危险性大的气体的使用，大大降低了反应成本、简化了反应设备。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江东晶光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】321016 浙江省金华市秋滨街道花溪路218号 【申请人地区】中国 【申请人城市】金华市 【申请人区县】婺城区 【申请号】CN201210374547.9 【申请日】2012-09-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102849692B 【公开公告日】2014-08-13 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102849692B 【授权公告日】2014-08-13 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C01B19/04; B82Y30/00 【发明人】李京波; 孟秀清; 李庆跃; 李凯; 汪林望; 池旭明 【主权项内容】1.一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法，其特征在于：采用两步反应法，首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质，以CTAB为络合剂，纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂，采用水热方法制备出WO2纳米线，然后再将这种纳米线用纯度为99.9％以上的高纯硒硒化，获得高取向性的二硒化钨纳米线，具体步骤是： A、采用水热方法，以Na2WO4·2H2O、CH3CSNH2为反应溶质，以CTAB为络合剂，纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂，将反应溶质和络合剂分别溶解后混合，并以NH3·H2O调节混合溶液的pH值至8-12，使混合溶液在160-220℃的反应釜中反应64-90小时，反应完毕后用纯度为18兆欧以上的去离子水和无水乙醇分别对产物进行离心洗涤多次，将洗涤后的产物在80℃的真空中干燥，得到灰黑色WO2纳米线产物； B、将反应所得到的WO2纳米线作为反应的钨源置于加热炉中，将一清洗干净的硅衬底置于WO2纳米线反应钨源的下端，将纯度为99.9％以上的高纯Se置于钨源的上端，加热炉进行多次预抽真空，同时通入高纯氩气进行清洗管道，直至将加热炉内空气完全排除干净并保持真空状态； C、向处于真空状态的加热炉内通入一定量的高纯氩气，使炉子的压力保持在200-700Pa, 同时将系统作为一个整体进行升温，使系统在600-900℃反应3-7小时，整个反应过程中一直用机械泵对炉子进行抽气； D、反应完毕，将系统冷却到100-150℃时，停止通高纯氩气，并停 止对炉子进行抽气，同时将炉子两端密封； E、系统冷却到室温后，取出样品，对样品进行结构、形貌系列表征。。 【当前权利人】黄山博蓝特半导体科技有限公司 【当前专利权人地址】安徽省黄山市屯溪区翠微北路66号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91330701570588862C 【引证次数】2.0 【被引证次数】7 【他引次数】2.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】11

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