【摘要】 本发明涉及一种制备介孔SiO2/CdS复合纳米球的方法，特征是采用了正硅酸酯类和十八烷基三甲氧基硅烷(C18TMS)在氨水催化下水解制备SiO2纳米球，以SiO2纳米球为模板，镉盐为镉源，硫脲为硫源在0～90℃条件下反应4～24小时，得到SiO2/CdS复合纳米球；高温煅烧后得到介孔SiO2/CdO复合纳米球，经过H2S气体在30～200℃反应2～8小时，即得到直径为270～400nm的介孔SiO2/CdS复合纳米球。本发明在制备得到介孔SiO2/CdS复合纳米球的过程中，反应条件比较温和，需要的设备简单，便于扩大规模，适合产业化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】321004 浙江省金华市迎宾大道688号 【申请人地区】中国 【申请人城市】金华市 【申请人区县】婺城区 【申请号】CN201210256129.X 【申请日】2012-07-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102745738B 【公开公告日】2014-02-19 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102745738B 【授权公告日】2014-02-19 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C01G11/02; C01B33/18; B82Y40/00; B82Y30/00 【发明人】钱海生; 胡金林; 应桃开; 章红宝; 郑佑楣; 阿尔孜古丽·玉苏甫 【主权项内容】一种制备介孔SiO2/CdS复合纳米球的方法，其特征在于：先将正硅酸酯类和十八烷基三甲氧基硅烷在氨水催化下水解制备SiO2纳米球，以SiO2纳米球为模板，镉盐为镉源，硫脲为硫源在0～90℃条件下反应4～24小时，得到SiO2/CdS复合纳米球；然后将SiO2/CdS复合纳米球在500～900℃条件下煅烧1～4小时，得到介孔SiO2/CdO复合纳米球；最后将介孔SiO2/CdO复合纳米球经过H2S气体在30～200℃反应2～8小时，即得到所述介孔SiO2/CdS复合纳米球。 【当前权利人】浙江师范大学 【当前专利权人地址】浙江省金华市迎宾大道688号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12330000470003513H 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【他引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5

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