【摘要】 本发明涉及一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具，包括陶瓷散热基座(6)，在所述陶瓷散热基座(6)的一面固定电路板，在所述电路板连接有白光LED倒装芯片(5)，在所述白光LED倒装芯片(5)上方固定设有一非透明灯罩；在所述陶瓷散热基座(6)的另一面设有向外突出的散热鳍片(61)，所述散热鳍片(61)也为陶瓷材质。本发明由于散热鳍片与陶瓷散热基座的材质为陶瓷材质，利用陶瓷材质的高传导和高辐射物理特性，可以将白光LED倒装芯片产生的热能快速吸收并散去，确保白光LED倒装芯片处于一恒定低温状态，并且可稳定并持续运作，因而可以延长了LED的使用寿命。 【专利类型】发明申请 【申请人】义乌市运拓光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】322023 浙江省义乌市江东街道下朱村A区1幢2单元二楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】金华市 【申请人区县】义乌市 【申请号】CN201410172746.0 【申请日】2012-02-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103943747A 【公开公告日】2014-07-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103943747B 【授权公告日】2015-12-30 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】H01L33/38; H01L33/20; H01L33/64; H01L33/50; F21Y115/10 【发明人】俞国宏 【主权项内容】一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具，包括陶瓷散热基座(60)，在所述陶瓷散热基座(60)的一面固定电路板，在所述电路板连接有白光LED倒装芯片(50)，在所述白光LED倒装芯片(50)上方固定设有一非透明灯罩；在所述陶瓷散热基座(60)的另一面设有向外突出的散热鳍片(61)，所述散热鳍片(61)也为陶瓷材质，其特征在于：所述白光LED倒装芯片(50)制作步骤如下：步骤1、所述白光LED倒装芯片(13)层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11)；步骤2、金属层(11)表面涂布第一光刻胶层(13)；步骤3、LED倒装芯片周边的第一光刻胶层(13)通过曝光或显影方式去除，并且形成环形暴露区；步骤4、将暴露部分的N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11)以及部分的N型层(3)去除使得整个倒装LED芯片形成梯台结构；步骤5、将LED芯片中间剩余的第一光刻胶层(13)全部去除；步骤6、在步骤5所得倒装芯片的表面涂布第二光刻胶层(14)；步骤7、将LED倒装芯片梯台结构上的部分第二光刻胶层(14)通过曝光或显影方式去除，并且形成环形金属层暴露区；步骤8、将暴露部分的金属层(11)和二氧化硅层(10)去除，形成环形凹槽；步骤9、将LED倒装芯片剩余的第二光刻胶层(14)全部去除；步骤10、在步骤9所得LED倒装芯片的表面涂布第三光刻胶层(15)；步骤11、将LED芯片表面的第三光刻胶层(15)通过曝光或显影方式部份去除，形成梯台外壁暴露区以及在梯台上形成环形暴露区；步骤12、在步骤11所得LED倒装芯片的表面直接制备一层绝缘介质膜(16)；步骤13、在步骤12所得LED倒装芯片的表面涂布第四光刻胶层(17)；步骤14、去除部分第四光刻胶层(17)，仅保留梯台外壁垂直涂布的第四光刻胶层(17)；步骤15、除去部分绝缘介质膜(16)，仅保留梯台外壁垂直布置的绝缘介质膜(16)和梯台上环形凹槽中的绝缘介质膜(16)；步骤16、去除剩余所有的第三光刻胶层(15)和第四光刻胶层(17)；步骤17、在步骤16所得LED倒装芯片的表面涂布第五光刻胶层(18)；步骤18、将梯台上环形凹槽上方的第五光刻胶层(18)去除，并且形成环形绝缘介质膜暴露区；步骤19、将芯片上方靠两侧暴露部分的绝缘介质膜(16)完全去除；步骤20、去除剩余所有的第五光刻胶层(18)；步骤21、在步骤20所得LED倒装芯片的表面上形成一层光穿透层ITO薄膜(19)；步骤22、在步骤21所得LED倒装芯片的表面涂布第六光刻胶层(20)；步骤23、去除LED倒装芯片梯台顶部的第六光刻胶层(20)，并且形成光穿透层ITO薄膜暴露区；步骤24、在步骤23所得LED倒装芯片的表面制备一金属合金层(21)；步骤25、在步骤24所得LED倒装芯片的表面添加第七光刻胶层(22)；步骤26、去除部分的第七光刻胶层(22)，仅仅在倒装芯片梯台顶部保留环状和方形的第七光刻胶层(22)；步骤27、去除没有被第七光刻胶层(22)覆盖的金属合金层(21)，同时也去除环状第七光刻胶层(22)和方形第七光刻胶层(22)之间的二氧化硅层(10)、金属层(11)以及光穿透层ITO薄膜(19)；光穿透层ITO薄膜(19)被分割成两个独立的部分：N型电极光穿透层ITO薄膜(191)和P型电极光穿透层ITO薄膜(192)；步骤28、将剩余的第六光刻胶层(20)和第七光刻胶层(22)全部去除，并形成环状N型电极和一个P型电极，P型电极被环状N型电极包；步骤29、利用ICP、RIE或其它刻蚀技术对衬底(1)进行刻蚀形成多个附着孔(27)；纳米荧光粉层(28)通过所述多个附着孔(27)粘附在所述衬底(1)表面；利用涂胶方法把配制好的纳米荧光粉液均匀地涂布在衬底(1)表面，然后在100-180摄氏度的烘箱内进行烘烤，时间为10分钟-1个小时，最终在衬底(1)表面形成一层均匀的纳米荧光粉层(28)；该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度；N型电极主要包括N型电极光穿透层ITO薄膜(191)和N型电极金属合金层(23)，其中N型电极光穿透层ITO薄膜(191)为阶梯结构，阶梯结构下部与芯片的N型层(3)暴露区连接；阶梯结构上部与N型电极金属合金层(23)、金属层(11)以及绝缘介质膜(16)连接，其中N型电极金属合金层(23)位于阶梯结构上部的上方，金属层(11)和绝缘介质膜(16)位于阶梯结构上部的下方；P型电极主要包括P型电极金属合金层(24)和P型电极光穿透层ITO薄膜(192)，P型电极光穿透层ITO薄膜(192)上方与P型电极金属合金层(24)连接，P型电极光穿透层ITO薄膜(192)四周向下延伸至光穿透层(9)并且将下方的金属层(11)和二氧化硅层(10)限制于其中；N型电极金属合金层(23)与P型电极金属合金层(24)位于同一水平面。 【当前权利人】永州菲斯特电子科技有限公司 【当前专利权人地址】湖南省永州市东安县白牙市镇工业区环城东路88号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913307820631907101 【引证次数】8.0 【自引次数】1.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】24.0 【家族被引证次数】20

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