【摘要】 本发明公开了一种高反压肖特基二极管正面金属层的湿法腐蚀方法，解决现有技术的湿法腐蚀方法所存在的步骤多，操作复杂，不能有效兼顾底层金属层Ti的过腐蚀与残留，易造成高反压肖特基二极管的反向漏电及早期失效，二极管管芯的衬底表面会残留大量的金属离子的问题，本发明包括以下步骤：一次坚膜→Ni/Ag腐蚀→清洗→甩干→二次坚膜→Ti腐蚀→清洗→EDTA溶液腐蚀→清洗→甩干→去除光刻胶。本发明工艺步骤简单，便于操作，腐蚀时能较好地控制腐蚀速率，且能有效兼顾底层金属层Ti严重的过腐蚀与残留，同时能去除残留在二极管管芯的衬底表面的金属离子，避免金属离子对高反压肖特基二极管的电参数特性产生影响。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州立昂微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210382168.4 【申请日】2012-10-11 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102915927B 【公开公告日】2014-12-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102915927B 【授权公告日】2014-12-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/329; H01L21/28 【发明人】王海峰 【主权项内容】一种高反压肖特基二极管正面金属层的湿法腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在管芯衬底上的正面金属层结构表面涂上光刻胶后进行一次坚膜；(2)采用第一腐蚀液对正面金属层进行Ni/Ag腐蚀，腐蚀后清洗，甩干，Ni/Ag腐蚀的具体方法为：将管芯在第一腐蚀液中浸泡腐蚀4~8min，第一腐蚀液温度为18~22℃，所述第一腐蚀液为含HNO3与CH3COOH的水溶液，第一腐蚀液中HNO3与CH3COOH的总质量浓度为60~80%，HNO3与CH3COOH的质量比为1：2~3；(3)对光刻胶进行二次坚膜，二次坚膜后光刻胶覆盖在Ti层两侧暴露的顶角上表面形成保护；(4)采用第二腐蚀液对正面金属层进行Ti腐蚀，腐蚀后清洗，Ti腐蚀后，Ti层(4)、Ni层(3)、Ag层(2)的剖面形成等腰梯形，且正面金属层的腐蚀边缘形成台阶结构，Ti腐蚀的具体方法为：将管芯在第二腐蚀液中浸泡腐蚀30~45S，第二腐蚀液温度为18~22℃，所述第二腐蚀液为含HNO3、HF及CH3COOH的水溶液，第二腐蚀液中HNO3、HF与CH3COOH的总质量浓度为10~15%，HNO3、HF及CH3COOH的质量比为3~5：1：2；(5)对正面金属层进行EDTA溶液腐蚀，腐蚀后清洗，甩干，最后去除光刻胶即完成正面金属层的腐蚀。 【当前权利人】杭州立昂微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号 【专利权人类型】股份有限公司(上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91330100736871634P 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】9

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