【摘要】 本发明公开了一种双介孔孔隙、高(100)晶面碳化钨材料的制备方法，所述制备方法具体如下：(1)配置偏钨酸铵与硫酸铜的混合水溶液，在超声振荡下以50~200μL/min的速度滴加质量浓度5~50%的碳酸铵水溶液沉淀出固体颗粒，滴加完毕后过滤得到前驱体颗粒；(2)前驱体颗粒经60~100℃真空干燥后，置于管式炉中进行碳化处理，得到介孔碳化钨复合材料；(3)将介孔碳化钨复合材料进行酸处理，得到双介孔孔隙碳化钨材料。本发明制得的双介孔孔隙WC由纳米WC颗粒堆积而成，且WC(100)面的生长获得了促进，从而提高了WC对H2的吸脱附能力，增强了其电催化性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】临安区 【申请号】CN201210183758.4 【申请日】2012-06-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102689902B 【公开公告日】2014-05-21 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102689902B 【授权公告日】2014-05-21 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C01B31/34; C01B32/949 【发明人】马淳安; 陈赵扬; 褚有群; 祝爱娟 【主权项内容】 。一种双介孔孔隙碳化钨材料的制备方法，所述制备方法具体如下：(1)按照含有W : Cu质量比为1 : 0.1~1配置偏钨酸铵与硫酸铜的混合水溶液，在超声振荡下以50~200μL/min的速度滴加浓度5~50wt%的碳酸铵水溶液沉淀出固体颗粒，滴加完毕后过滤得到前驱体颗粒；(2)前驱体颗粒经60~100℃真空干燥后，置于管式炉中在CO/H2气氛中按照2~10℃/min程序升温至700~900℃进行碳化处理2~8小时，得到介孔碳化钨材料；所述CO/H2气氛中CO和H2的体积比为1：1.1~2.5；(3)将介孔碳化钨复合材料进行酸处理，得到双介孔孔隙碳化钨材料。 【当前权利人】浙江工业大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下城区潮王路18号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1233000047000441XK 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2

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