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低频无极灯镇流器专利

时间:2026-10-06    作者:admin 点击: ( 4 ) 次

【摘要】 本发明涉及电子镇流器,具体为一种低频无极灯镇流器,解决了在低频无极灯首次启动时,镇流器中的MOS管驱动电路驱动电压不足,不能获得稳定的13.5V供电电压的问题。一种低频无极灯镇流器,包括EMC滤波电路,桥式整流电路,直流升压电路,包含FM2822芯片(U2)的MOS管驱动电路,MOS管功率输出电路,第二复合晶体三极管(BG2),15V第三稳压管(DW3),第五电容(C5),第八晶体二极管(D8)和第一零五电阻(R105);还包括13.5V控制电路。本发明结构简单、设计合理、成本低廉,大大提高了无极灯的启动性能。 : 【专利类型】发明授权 【申请人】洪路; 张天龙 【申请人类型】个人 【申请人地址】314400 浙江省嘉兴市海宁市硖川路166号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】海宁市 【申请号】CN201210094497.9 【申请日】2012-04-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102612239B 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102612239B 【授权公告日】2014-01-15 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H05B41/282 【发明人】洪路; 张天龙 【主权项内容】 。1.一种低频无极灯镇流器,包括EMC滤波电路,桥式整流电路,直流升压电路,包含FM2822芯片(U2)的MOS管驱动电路,MOS管功率输出电路,第二复合晶体三极管(BG2),15V第三稳压管(DW3),第五电容(C5),第八晶体二极管(D8)和第一零五电阻(R105); 所述直流升压电路包含L6561D芯片(U1)、第三高频变压器(T3)、第一MOS管(Q1)、第六晶体二极管(D6)、第九晶体二极管(D9);其中,第三高频变压器(T3)的初级绕组一端与第六晶体二极管(D6)的阳极端连接,第六晶体二极管(D6)的阴极端是直流升压电路的输出端A;第三高频变压器(T3)的次级绕组一端接地、其另一端与第九晶体二极管(D9)的阳极端连接,第九晶体二级管(D9)的阴极端是高频变压器次级绕组输出端B; 所述EMC滤波电路连接桥式整流电路,桥式整流电路连接直流升压电路,直流升压电路输出端A与 MOS管功率输出电路的输入端连接,直流升压电路中高频变压器次级绕组输出端B与第二复合晶体三极管(BG2)的集电极连接,第二复合晶体三极管(BG2)的发射极与MOS管驱动电路输入端连接且通过第八晶体二极管(D8)与直流升压电路中L6561D芯片(U1)的第八引脚连接,第二复合晶体三极管(BG2)的基极通过15V第三稳压管(DW3)接地,15V第三稳压管(DW3)两端并联第五电容(C5),MOS管驱动电路连接MOS管功率输出电路; 其特征在于:还包括13.5V控制电路; 所述13.5V控制电路包括由第一零一电阻(R101)和第一零二电阻(R102)串联构成的第一电压采样电路、第一晶体三极管(BG1)及光电耦合器(IC1); 第一电压采样电路的一端与直流升压电路输出端A连接、其另一端接地,且当直流升压电路输出端A输出电压为400V时,第一零一电阻(R101)和第一零二电阻(R102)的中间节点的电压为20V; 第一晶体三极管(BG1)的基极经第一零三电阻(R103)和18V第二稳压管(DW2)与第一零一电阻(R101)和第一零二电阻(R102)的中间节点连接,第一晶体三极管(BG1)的集电极与光电耦合器(IC1)中的发光二极管(D101)的阴极连接,第一晶体三极管(BG1)的发射极接地,第一晶体三极管(BG1)的基极与发射极之间并联第一零二电容(C102); 光电耦合器(IC1)中发光二极管(D101)的阳极端经第一零四电阻(R104)和18V第一稳压管(DW1)与高频变压器次级绕组输出端B连接,且发光二极管(D101)的阳极端与地之间并联有第一零一电容(C101); 光电耦合器(IC1)中光敏三极管(BG4)的集电极与第二复合晶体三极管(BG2)的集电极连接,且其发射极经第一零五电阻(R105)与第二复合晶体三极管(BG2)的基极连接。 【当前权利人】洪路; 张天龙 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市海宁市硖川路166号; 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

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