【摘要】 本发明公开了一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)开孔；(2)清洗、制绒；(3)采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子；第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(4)在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子；(5)采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子；第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同；(6)将硅片放入清洗液中，去除硅片正面和背面的表层原子；(7)热氧化、退火；(8)设置减反射膜；(9)设置孔金属电极；印刷，烧结。本发明采用离子注入的方法，较好地控制注入的位置，由其得到的太阳能电池不存在扩散制结处的短路问题；清洗去除掺杂后的硅片表层原子，获得了高质量的表面状态，实现对硅片表面的良好的钝化，取得了显著的效果。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯(中国)投资有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210166621.8 【申请日】2012-05-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102683492B 【公开公告日】2014-10-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102683492B 【授权公告日】2014-10-15 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18; H01L21/265 【发明人】殷涵玉; 王登志; 王栩生; 章灵军 【主权项内容】1.一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片上开孔；(2) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；(3) 采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子，形成第一掺杂层；所述第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(4) 采用离子注入的方法在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子，第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；所述步骤(4)中硅片背面的孔的周围区域是指硅片背面以开孔的孔中心为圆心的2~10mm的范围内的正方形、圆形、三角形或任意形状的区域；(5) 采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子，形成第二掺杂层；所述第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同；(6) 将上述硅片放入清洗液中，去除硅片正面和背面的表层原子，去除深度为1~100nm；所述清洗液包括氧化剂和溶解剂，所述氧化剂选自HNO3、H2SO4、H2O2、CH3COOH和O3中的一种或几种，所述溶解剂选自NH4HF2、HF和NH4OH中的一种或几种；(7) 将上述硅片进行热氧化、退火；(8) 在硅片的正面和背面设置减反射膜；(9) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触晶体硅太阳能电池。 【当前权利人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区鹿山路199号; 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320505788380992U; 91320505691330112T 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】6

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