【摘要】 本发明涉及一种含场板结构的横向双极型晶体管，自下而上包括衬底，缓冲区，集电区，基区，发射区，分别在所述集电区和所述基区的上部边界处通过离子注入的方式形成欧姆接触区，分别在所述集电区、所述基区、所述发射区通过金属淀积的方式形成金属电极，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，其特征在于，在所述集电区、所述基区、所述发射区外部设置有氧化层，在所述基区、所述集电区或者所述发射区中的一个或多个上设置有场板。本发明通过场板结构，增强漂移区的耗尽，来减小漂移区内的峰值电场，使得在相同的漂移区长度下可以承担更高的阻断电压，明显提高器件的阻断电压等级。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州英能电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215163 江苏省苏州市苏州高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3F 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210330957.3 【申请日】2012-09-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681808A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/735; H01L29/40 【发明人】崔京京; 张作钦 【主权项内容】一种含场板结构的横向双极型晶体管，自下而上包括衬底，缓冲区，集电区，基区，发射区，分别在所述集电区和所述基区的上部边界处通过离子注入的方式形成欧姆接触区，分别在所述集电区、所述基区、所述发射区通过金属淀积的方式形成金属电极，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，其特征在于：在所述集电区、所述基区、所述发射区外部设置有氧化层，在所述基区、所述集电区或者所述发射区中的一个或多个上设置有场板。。 【当前权利人】苏州英能电子科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3F 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320505582252768Q 【引证次数】8.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0

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