【摘要】 本发明公开了一种非制冷光读出红外成像焦平面阵列探测器制作方法，该制作方法以多牺牲层技术为基础，在透明衬底上制作可动微悬臂梁阵列，利用微悬臂梁阵列的热——机械特性检出目标物体的红外辐射场分布。该制作方法可解决传统硅衬底上制作的非制冷红外焦平面阵列器件制作工艺复杂、封装困难等问题，同时该制作方法制作的焦平面阵列探测器既避免了硅衬底对于目标物体红外辐射能量影响，提高系统红外辐射利用率，避免复杂的体硅去除工艺，更加易于圆片级封装。 【专利类型】发明申请 【申请人】昆山光微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215325 江苏省苏州市昆山市周庄镇大桥路145号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210270383.5 【申请日】2012-07-31 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103569946A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103569946B 【授权公告日】2015-10-07 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】B81C1/00 【发明人】陈大鹏; 高超群 【主权项内容】1.一种非制冷光读出红外成像焦平面陈列探测器制作方法，其特征在于包括以下步骤：①在一透明衬底(1)的上侧面上淀积一层第一牺牲层(2)，且所述透明衬底对读出光路中的可见光透明；②在上述第一牺牲层(2)的上侧面上进行选择性刻蚀以获得锚点的图形(21)；③在上述第一牺牲层的上侧面上制作微悬臂梁单元(3)，该微悬臂梁单元的一端通过所述锚点的图形与所述透明衬底连接；④在上述微悬臂梁单元和第一牺牲层的上侧面上共同覆盖第二牺牲层(4)；⑤在上述非对应所述悬臂梁单元的第二牺牲层的上侧面上选择性蚀刻出若干个盲槽(41)，且该盲槽贯穿所述第二牺牲层及第一牺牲层至所述透明衬底；⑥在上述第一牺牲层的上侧面上及若干个盲槽内淀积第一封装材料(5)，该第一封装材料完全填充所述若干个盲槽及完全覆盖所述第二牺牲层的上侧面；⑦在上述第一封装材料的上侧面上制作若干个释放盲孔(51)，该释放盲孔贯穿第一封装材料至第二牺牲层，至此形成带释放盲孔的封装壳；⑧将上述第二牺牲层和第一牺牲层从所述释放盲孔释放去除；⑨将上述封装壳在真空环境下抽去残气后，在上述第一封装材料上侧面上淀积第二封装材料(6)以封闭封装壳，从而完成晶圆级封装。。微信 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320583692123166A 【引证次数】8.0 【被引证次数】5 【他引次数】8.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】5

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