【摘要】 本发明公开了一种基于动态纳米刻划技术制作滚筒压模的方法，将具有纳米结构的平面压模与待加工滚筒表面接触，利用平面压模的断开面的边缘在待加工滚筒表面刻划出纳米尺度的线栅。本发明还公开了一种平面压模的制作方法。本发明的方法中产生的线条宽度可以达到纳米级，并且在滚筒上进行的压模，使生产中成本降低，并且可以实现连续生产的显著优势；通过将小面积纳米级模板，放大成大面积的纳米级模板，解决了大面积纳米级模具制备难得问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210363707.X 【申请日】2012-09-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102866579B 【公开公告日】2014-06-18 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102866579B 【授权公告日】2014-06-18 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G03F7/00; B82Y40/00 【发明人】高育龙; 崔铮 【主权项内容】一种基于动态纳米刻划技术制作滚筒压模的方法，其特征在于：将具有纳米结构的平面压模与待加工滚筒表面接触，利用平面压模的断开面的边缘在待加工滚筒表面刻划出纳米尺度的线栅, 所述的平面压模的制作方法包括如下步骤：Ⅰ、通过具有纳米结构的第一平板对第一滚筒进行压印，在第一滚筒表面形成与所述第一平板表面纳米结构互补的结构；Ⅱ、通过第一滚筒对第二平板进行压印，在第二平板的表面形成与第一滚筒表面纳米结构互补的结构，获得平面压模，其中，第一平板的边长、第二平板的宽度均与所述第一滚筒的宽度相同，而第二平板的长度与待加工的滚筒的待加工表面的长度相同。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】2

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