【摘要】 本发明涉及一种圆片级LED封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明的硅基载体(2)的正面通过光刻、刻蚀的方法形成下凹的型腔(21)，利用光刻、刻蚀的方法成形的硅孤岛(22)与型腔(21)的底部跨接，并与倒装在型腔(21)底部的LED芯片(1)粘接，散热用金属块(72)设置在硅孤岛(22)的下表面，呈岛结构的感光树脂层Ⅰ(61)覆盖在硅基载体(2)的下表面，再布线金属层(71)与电极Ⅰ(121)、电极Ⅱ(122)连接，将LED芯片信号引至硅基载体(2)的背面，同时大面积的再布线金属层(71)有助于封装体的散热。本发明采用非TSV结构，封装工艺难度低、封装成本低，并且提升了散热能力，适于便携式产品中应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】江阴长电先进封装有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号) 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210306275.9 【申请日】2012-08-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102832331B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102832331B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/62; H01L33/64 【发明人】张黎; 陈栋; 赖志明; 陈锦辉 【主权项内容】1.一种圆片级LED封装方法，包括以下工艺步骤：步骤一、切割LED圆片，形成单颗的LED芯片(1)；步骤二、准备硅基载体(2)；步骤三、通过光刻、刻蚀的方法在硅基载体(2)的正面形成下凹的型腔(21)；步骤四、在型腔(21)表面和硅基载体(2)上表面沉积反光层(5)，并在型腔(21)底部的反光层(5)上形成反光层开口(51)；步骤五、在型腔(21)底部的反光层开口(51)内涂布连结胶(13)，并将LED芯片(1)倒装至型腔(21)底部，电极(12)朝下，电极(12)对应反光层开口(51)；步骤六、取玻璃(3)，在玻璃(3)的下表面涂布荧光粉层(31)；步骤七、在型腔(21)内填满填充胶(4)，并将上述带有荧光粉层(31)的玻璃(3)与硅基载体(2)通过填充胶(4)键合；步骤八、对上述硅基载体(2)的背面进行减薄至下一工艺需要的厚度；步骤九、利用光刻、刻蚀的方法去除上述硅基载体(2)背面的硅和部分连结胶(13)，并形成硅孤岛(22)；步骤十、在上述硅基载体(2)的背面用光刻、刻蚀的方法形成感光树脂层Ⅰ(61)；步骤十一、利用光刻、电镀的方法在上述感光树脂层Ⅰ(61)的背面形成再布线金属层(71)和在硅孤岛(22)的下表面形成金属块(72)，再布线金属层(71)与电极Ⅰ(121)、电极Ⅱ(122)连接；步骤十二、在上述封装体的下表面涂布感光树脂层Ⅱ(62)，利用光刻、刻蚀的方法形成感光树脂开口(621)，露出金属块(72)和再布线金属层(71)的部分区域。。 【当前权利人】江阴长电先进封装有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号) 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】91320281753943521E 【引证次数】8.0 【自引次数】2.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】17

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