【摘要】 本发明涉及一种单芯片正装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构及其制造方法，所述结构包括基岛(1)和引脚(2)，所述基岛(1)正面设置有芯片(4)，所述芯片(4)正面与引脚(2)正面之间用金属线(5)相连接，所述基岛(1)和引脚(2)周围区域以及芯片(4)和金属线(5)外均包封有塑封料(6)，所述引脚(2)下部的塑封料(6)表面上开设有小孔(7)，所述小孔(7)与引脚(2)背面相连通，所述小孔(7)内设置有金属球(9)，所述金属球(9)与引脚(2)背面相接触。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。 数据由整理 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏长电科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210140806.1 【申请日】2012-05-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102856293B 【公开公告日】2014-10-29 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102856293B 【授权公告日】2014-10-29 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/495; H01L23/31; H01L21/50 【发明人】王新潮; 李维平; 梁志忠 【主权项内容】一种单芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构的制作方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜在金属基板表面镀一层铜材薄膜；步骤三、贴光阻膜作业在完成预镀铜材薄膜的金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；步骤五、电镀惰性金属线路层在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上惰性金属线路层；步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上多层或是单层金属线路层；步骤七、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤八、包封将步骤七中的金属基板背面采用塑封料进行塑封；步骤九、塑封料表面开孔在金属基板背面预包封塑封料的表面进行需要后续植金属球的区域进行开孔；步骤十、贴光阻膜作业在完成开孔的金属基板的正面以及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十一、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行化学蚀刻的区域图形；步骤十二、化学蚀刻将步骤十一中完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；步骤十三、电镀金属线路层在惰性金属线路层表面镀上单层或是多层的金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的引脚；步骤十四、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十五、涂覆粘结物质在步骤十三形成的引脚表面涂覆导电或是不导电的粘结物质；步骤十六、装片在步骤十五的引脚上植入芯片；步骤十七、金属线键合在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；步骤十八、包封将完成装片打线后的金属基板正面进行塑封料包封工序；步骤十九、清洗在金属基板背面塑封料开孔处进行氧化物质、油脂物质的清洗；步骤二十、植球在金属基板背面塑封体开孔处内植入金属球，使金属球与引脚背面相接触；步骤二十一、切割成品将步骤二十完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单芯片正装先蚀刻后封装无基岛封装结构。 【当前权利人】江苏长电科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号 【专利权人类型】股份有限公司(上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320200142248781B 【引证次数】5.0 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0

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