【摘要】 本发明公开了一种高调谐精度的电感电容型数控振荡器，其中谐振回路包括并联连接的电感L、电容C、第一控制位D1控制的由P型场效应晶体管PM11、PM12、PM13和PM14组成的第一位控制单元电路、…、和由第n控制位Dn控制的由P型场效应晶体管PMn1、PMn2、PMn3和PMn4组成的第n位控制单元电路，组成控制单元阵列；所述电感L第一输入端接电容C的第一输入端，作为谐振回路的第一输入端(1)，电感L第二输入端接电容C的第二输入端，作为谐振回路的第二输入端(2)；每位控制单元由不同尺寸的PMOS管对反向并联组成，利用PMOS管尺寸差别得到小的电容差值，获得精细的频率调谐步长，即实现高的频率调谐精度。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99# 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】新吴区 【申请号】CN201210051625.1 【申请日】2012-03-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102594343B 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102594343B 【授权公告日】2014-02-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03L7/099 【发明人】吴建辉; 江平; 王子轩; 张萌; 黄成; 陈超; 周正亚; 陈庆 【主权项内容】一种高调谐精度的数字控制振荡器，包括第一N型场效应晶体管(NM1)、第二N型场效应晶体管(NM2)，第一P型场效应晶体管(PM1)、第二P型场效应晶体管(PM2)和谐振回路，所述第一N型场效应晶体管(NM1)的源极接地，第一N型场效应晶体管(NM1)的漏极接第一P型场效应晶体管(PM1)的漏极，第一N型场效应晶体管(NM1)的栅极接谐振回路的第二输入端；所述第一N型场效应晶体管(NM1)的源极接地，第二N型场效应晶体管(NM2)的漏极接第二P型场效应晶体管(PM2)的漏极，第二N型场效应晶体管(NM2)的栅极接谐振回路的第一输入端(1)；所述第一P型场效应晶体管(PM1)的源极接电源VDD，第一P型场效应晶体管(PM1)的漏极接第一N型场效应晶体管(NM1)的漏极，第一P型场效应晶体管(PM1)的栅极接谐振回路的第二输入端(2)；所述第二P型场效应晶体管(PM2)的源极接电源VDD，第二P型场效应晶体管(PM2)的漏极接第二N型场效应晶体管(NM2)的漏极，第二P型场效应晶体管(PM2)的栅极接谐振回路的第一输入端(1)；其特征在于：所述谐振回路包括并联连接的电感L、电容C、第一控制位D1控制的由P型场效应晶体管PM11、PM12、PM13和PM14组成的第一位控制单元电路、…、和由第n控制位Dn控制的由P型场效应晶体管PMn1、PMn2、PMn3和PMn4组成的第n位控制单元电路，组成控制单元阵列；所述电感L第一输入端接电容C的第一输入端，作为谐振回路的第一输入端(1)，电感L第二输入端接电容C的第二输入端，作为谐振回路的第二输入端(2)；所述P型场效应晶体管PM11的源极、漏极和衬底、P型场效应晶体管PM12的源极、漏极和衬底、P型场效应晶体管PM13的栅极、P型场效应晶体管PM14的栅极均接到一起，作为第一控制位D1端；P型场效应晶体管PM11的栅极、P型场效应晶体管PM13的源极、漏极和衬底接到电感L的第一输入端，P型场效应晶体管PM12的栅极、P型场效应晶体管PM14的源极、漏极和衬底接到电感L的第二输入端；所述P型场效应晶体管PMn1的源极、漏极和衬底、P型场效应晶体管PMn2的源极、漏极和衬底、P型场效应晶体管PMn3的栅极、P型场效应晶体管PMn4的栅极均接到一起，作为第n控制位Dn端，P型场效应晶体管PMn1的栅极、P型场效应晶体管PMn3的源极、漏极和衬底接到电感L的第一输入端，P型场效应晶体管PMn2的栅极、P型场效应晶体管PMn4的源极、漏极和衬底接到电感L的第二输入端；所述控制单元阵列中每一个控制单元的接法均相同，PMk3、PMk4对管的尺寸大于PMk1、PMk2对管，其中k为1到n。 【当前权利人】东南大学无锡分校 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2

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