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一种低电感元件的制造方法专利

时间:2026-09-21    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 一种低电感元件的制造方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:A、将50wt%高磁通合金磁粉、50wt%低磁通合金磁粉混合形成导磁材料;B、将所述线圈和磁棒置入注射成型机上预设的模具内;C、加温到80-350℃,使所述导磁材料成为流体,射入模具内后凝结成型,将线圈和磁棒的周围均匀地完全包覆,脱模即可。 【专利类型】发明申请 【申请人】徐敖金 【申请人类型】个人 【申请人地址】213234 江苏省常州市金坛指前镇指前标集镇501-216号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】金坛区 【申请号】CN201210192359.4 【申请日】2012-06-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103489604A 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01F41/00; H01F1/047; H01F17/04 【发明人】徐敖金 【主权项内容】1.一种低电感元件的制造方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:A、将50wt%高磁通合金磁粉、50wt%低磁通合金磁粉混合形成导磁材料;B、将所述线圈和磁棒置入注射成型机上预设的模具内;C、加温到80-350℃,使所述导磁材料成为流体,射入模具内后凝结成型,将线圈和磁棒的周围均匀地完全包覆,脱模即可。 【当前权利人】徐敖金 【当前专利权人地址】江苏省常州市金坛指前镇指前标集镇501-216号 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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