【摘要】本发明涉及真空镀膜设备技术领域，尤其是一种新型石墨舟。其包括舟体、舟片、支脚、上电极和下电极，舟片设置在舟体内，支脚安装在舟体底部，上电极和下电极分别位于舟体的上部和下部，舟体截面呈半圆形。将舟体设计成截面呈半圆形的船体结构，可大大
【摘要】 本发明提提供一种不受生长衬底限制的GaN基白光倒装芯片的制备方法。本发明采用两次衬底转移工艺，解除了GaN基倒装芯片对生长衬底的限制，同时将半导体多层结构固定在掺了荧光粉的透明永久支撑基板上，从而得到直接发白光的GaN基LED倒装芯片，能大幅降低封装成本及提高封装良率。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶能光电(常州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213164 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】武进区 【申请号】CN201210561072.4 【申请日】2012-12-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103887218A 【公开公告日】2014-06-25 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103887218B 【授权公告日】2018-03-09 【授权公告年份】2018.0 【IPC分类号】H01L21/683; H01L33/48; H01L33/50; H01L33/00 【发明人】封波; 赵汉民; 孙钱; 彭翔 【主权项内容】一种GaN基白光倒装芯片的制备方法，包括：在生长衬底上依次生长缓冲层、n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成GaN基半导体多层结构；在所述半导体多层结构上制备P、N电极，所述P、N电极在半导体多层结构的同一侧，且通过不导电的介质膜隔离开；在所述半导体多层结构上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；将所述生长衬底剥离掉；在剥离后暴露的半导体多层结构表面涂第二胶，与永久支撑基板结合；去掉第一临时基板和第一胶；其中所述永久支撑基板为掺了荧光粉的陶瓷或玻璃透明基板。 【当前权利人】晶能光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台中市北屯区北屯路298巷13号1楼 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320412576689373D 【引证次数】6.0 【被引证次数】12 【他引次数】6.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】14
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