【摘要】 一种大功率平面结单向TVS二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N区的一面设置P扩散区，另一面设置N+扩散区，在所述P扩散区和N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区的外侧、于N区表面设置PN结平面SiO2保护区。由于产品是平面结结构，因此可采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低；镀膜可采用多层金属化方式，一次完成，工艺简单，可靠性高。产品采用平面工艺生产，不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英寸硅片的生产，生产效率大大提高，操作方便，也降低了生产成本。 【专利类型】实用新型 【申请人】南通明芯微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226600 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】海安市 【申请号】CN201020243173.3 【申请日】2010-06-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201699018U 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201699018U 【授权公告日】2011-01-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/861; H01L29/06 【发明人】周明; 苏学杰; 穆连和; 顾理健 【主权项内容】一种大功率平面结单向TVS二极管芯片，其特征在于在N区的一面设置P扩散区，另一面设置N+扩散区，在所述P扩散区和N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区的外侧、于N区表面设置PN结平面SiO2保护区。 【当前权利人】南通明芯微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320621663814451P 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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