【摘要】 一种放电管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N-区的两面分别局部矩阵设置N扩散区，在所述N-区1及N扩散区的另一面分别设置P扩散区，在所述P扩散区内局部分别设置N+扩散区，在所述P扩散区的外周分别设置玻璃钝化区，在所述N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述N+扩散区的外侧和P扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。由于产品是采用双面台面槽结构，产品的结电容低，漏电流控制在几十纳安以下；由于本实用新型结构的特殊性，产品的保护电压可由扩散条件调节和控制，拓宽了产品材料电阻率的使用范围，有效解决了保护电压对材料电阻率的依赖，降低了生产成本。。 【专利类型】实用新型 【申请人】南通明芯微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226634 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】海安市 【申请号】CN201020620486.6 【申请日】2010-11-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201868437U 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201868437U 【授权公告日】2011-06-15 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/66; H01L29/86; H01L29/06 【发明人】周明; 苏学杰; 穆连和; 顾理健 【主权项内容】1.一种放电管芯片，其特征在于在N-区的两面分别局部矩阵设置N扩散区，在所述N-区1及N扩散区的另一面分别设置P扩散区，在所述P扩散区内局部分别设置N+扩散区，在所述P扩散区的外周分别设置玻璃钝化区，在所述N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述N+扩散区的外侧和P扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。 1.一种放电管芯片，其特征在于在N-区的两面分别局部矩阵设置N扩散区，在所述N-区1及N扩散区的另一面分别设置P扩散区，在所述P扩散区内局部分别设置N+扩散区，在所述P扩散区的外周分别设置玻璃钝化区，在所述N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述N+扩散区的外侧和P扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。 【当前权利人】南通明芯微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320621663814451P

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