【摘要】一种四组V型架的晾鞋架器，它涉及一种凉鞋技术领域，具体涉及一种四组V型架的晾鞋架器。它包含吊杆(1)、转动珠(2)、转动轴(3)和四组V型架(4)；吊杆低端设置有转动轴(3)，转动轴(3)上端的吊杆两侧设置有四组V型架(4)，四组V
【摘要】 一种双向保护二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N-区的一面设置N+扩散区，在N+扩散区的另一面设置镀膜区；在N-区另一面局部设置P扩散区，在所述P扩散区内和外周分别设置N+扩散区，在所述P扩散区内的N+扩散区的另一面设置镀膜区，在所述P扩散区的表面和N-区表面及P扩散区内侧与N+扩散区的交界处分别设置PN结平面SiO2保护区。由于产品的PN结在正面，封装成品率高，背面进行减薄或研磨，可以达到多种厚度的芯片，以满足不同封装形式的要求，产品的使用范围广，符合电子产品小型化的发展趋势。采用4英寸硅片的生产，生产效率大大提高，操作方便，也降低了生产成本。 【专利类型】实用新型 【申请人】南通明芯微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226600 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】海安市 【申请号】CN201020259707.1 【申请日】2010-07-09 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201717265U 【公开公告日】2011-01-19 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201717265U 【授权公告日】2011-01-19 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/861; H01L29/06 【发明人】周明; 申云 【主权项内容】一种双向保护二极管芯片，其特征在于在N‑区的一面设置N+扩散区，在N+扩散区的另一面设置镀膜区；在N‑区另一面局部设置P扩散区，在所述P扩散区内和外周分别设置N+扩散区，在所述P扩散区内的N+扩散区的另一面设置镀膜区，在所述P扩散区的表面和N‑区表面设置PN结平面SiO2保护区，在P扩散区内侧与N+扩散区的交界处设置PN结平面SiO2保护区。 【当前权利人】南通明芯微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320621663814451P 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4
未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1786160442.html
