【摘要】１．外观设计产品的名称：布(５４)；２．外观设计产品的用途：用于制造各类纺织品；３．外观设计产品的设计要点：主视图所表示的图案；４．指定主视图为最能表明设计要点的图片；５．该外观设计产品为平面产品，其他视图无设计要点，省略其他视图；
【摘要】 一种大功率平面结双向TVS二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，本实用新型在N区的正反两面分别设置P扩散区，在两个P扩散区的另一面分别设置镀膜区，在P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。本实用新型扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低。不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。避免了在玻璃钝化层上划片而产生的玻璃钝化膜应力，PN结结构牢靠，减少了漏电流，尤其是高温下的漏电流，进一步提高产品的可靠性。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英寸硅片的生产，可大大提高生产效率，方便生产操作，也降低了生产成本。 【专利类型】实用新型 【申请人】南通明芯微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226600 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】海安市 【申请号】CN201020243150.2 【申请日】2010-06-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201699017U 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201699017U 【授权公告日】2011-01-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/861; H01L29/06 【发明人】周明; 苏学杰; 穆连和; 顾理健 【主权项内容】一种大功率平面结双向TVS二极管芯片，其特征在于在N区的正反两面分别设置P扩散区，在所述两个P扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。 【当前权利人】南通明芯微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320621663814451P 【被引证次数】3 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】3
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