【摘要】 本发明提供了一种芯片封装方法，包括步骤：提供半封装晶圆，所述办封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫；采用选择性形成工艺在所述金属焊垫上形成球下金属电极；在晶圆上、球下金属电极以外区域形成保护层，且所述保护层覆盖于所述切割道上；在所述球下金属电极上形成焊球；沿切割道对晶圆进行划片。本发明能够使得切割道内的金属在制作球下金属电极时不受到影响，且在切割后能够保护分立芯片的侧面，工艺流程简单，提高了封装效率以及成品率。 【专利类型】发明申请 【申请人】南通富士通微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】崇川区 【申请号】CN201010534406.X 【申请日】2010-11-05 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102034721A 【公开公告日】2011-04-27 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102034721B 【授权公告日】2013-07-10 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/56; H01L23/00 【发明人】石磊; 陶玉娟; 高国华; 舜田直实; 目黑弘一 【主权项内容】一种芯片封装方法，其特征在于，包括步骤：提供半封装晶圆，所述办封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫；采用选择性形成工艺在所述金属焊垫上形成球下金属电极；在晶圆上、球下金属电极以外区域形成保护层，且所述保护层覆盖于所述切割道上；在所述球下金属电极上形成焊球；沿切割道对晶圆进行划片。 【当前权利人】通富微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市崇川路288号 【专利权人类型】股份有限公司(中外合资、上市) 【统一社会信用代码】91320000608319749X 【引证次数】7.0 【被引证次数】8 【他引次数】7.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】34.0 【家族被引证次数】16

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