【摘要】 本发明涉及一种应用长波脉冲激光技术进行非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法。首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm 2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调整脉冲宽度与加热时间的比例即占空比，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求。本发明通过调整脉冲的占空比，来控制薄膜中晶粒的生长；本发明方法不仅可应用于硅的可控外延生长，也可应用于ZnO等材料的快速可控外延生长；应用本发明方法生长的薄膜不仅可应用于太阳能行业，也可应用于集成电路和电子元器件的制造。 【专利类型】发明授权 【申请人】南通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】226019 江苏省南通市啬园路9号南通大学机械工程学院 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】崇川区 【申请号】CN201010179872.0 【申请日】2010-05-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101866838B 【公开公告日】2011-11-30 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101866838B 【授权公告日】2011-11-30 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/268 【发明人】花国然; 王强; 戴丽娟; 张华; 罗辰; 顾江; 陈宏 【主权项内容】一种非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法，其特征在于首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持激光输出功率不变的情况下，通过调整脉冲宽度与脉冲周期的比例即占空比，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求，上述调整包括：脉冲激光频率的调整、脉宽的调整和加热时间的调整，其调整范围依次为4～25Hz、0.5～2ms和30～90s。 【当前权利人】南通大学 【当前专利权人地址】江苏省南通市啬园路9号南通大学机械工程学院 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12320000466012919A 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5

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