【摘要】1.外观设计产品的名称：布(64)；2.外观设计产品的用途：用于制造各类纺织品；3.外观设计产品的设计要点：主视图所表示的图案；4.指定主视图为最能表明设计要点的图片；5.该外观设计产品为平面产品，其他视图无设计要点，省略其他视图；
【摘要】 本实用新型涉及一种肖特基双胞芯片，从下到上依次包括阴极金属层、N++衬底、N-外延层、势垒层、阳极金属层和氧化层，其创新点在于：所述阳极金属层为两片相互独立不接触的阳极金属，在所述两阳极金属外均设有一圈用于消除边缘区域电场的氧化层。本实用新型的优点在于：在用于各类开关电源的二次侧整流时，两片阳极金属分别与氧化层、N-外延层、N++衬底、阴极金属层构成一个肖特基芯片结构，两者的电特性趋于一致。封装时，在金属框架上制作成成管，两片阳极金属分别连接一引线，阴极金属层与金属框架连接，芯片上的两个独立管芯发出的热通过同一衬底散发，故芯片的热特性趋于一致，很好的提高了产品的可靠性，另外由于封装时只需一次装片，提高了生产效率。。 【专利类型】实用新型 【申请人】如皋市大昌电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226500 江苏省如皋市柴湾镇镇南村13组(本公司自有房屋内) 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】如皋市 【申请号】CN201020537051.5 【申请日】2010-09-21 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201812819U 【公开公告日】2011-04-27 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201812819U 【授权公告日】2011-04-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L25/07; H01L29/872; H01L23/498 【发明人】薛列龙 【主权项内容】一种肖特基双胞芯片，从下到上依次包括阴极金属层、N++衬底、N‑外延层、势垒层、阳极金属层和氧化层，其特征在于：所述阳极金属层为两片相互独立不接触的阳极金属，在所述两阳极金属外均设有用于消除边缘区域电场的氧化层。。 【当前权利人】如皋市大昌电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省如皋市柴湾镇镇南村13组(本公司自有房屋内) 【专利权人类型】有限责任公司(自然人独资) 【统一社会信用代码】913206826083431756
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