【摘要】 本发明涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧，所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度；所述方法包括生长一层较厚的一次氧化层、一次光刻穿通环、二次氧化和二次光刻三个步骤。本发明的优点是：彻底消除了针孔危害，大大提高了可控硅产品批次合格率。 【专利类型】发明申请 【申请人】启东吉莱电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226224 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201010212163.8 【申请日】2010-06-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101937928A 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101937928B 【授权公告日】2012-04-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L29/74; H01L21/332; G03F7/20 【发明人】耿开远; 周健; 朱法扬 【主权项内容】一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧。 【当前权利人】江苏吉莱微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市启东市汇龙镇牡丹江西路1800号 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1785875880.html