【摘要】本发明涉及可控硅生产工艺,包括氧化、光刻穿通环、进行穿通扩散、短基区扩散和光刻阴极步骤,其特征是光刻穿通环与进行穿通扩散步骤之间增加了蒸铝、合金和保留合金层步骤。本发明的优点是:1、因为铝在硅中扩散的速率要远远大于硼在硅中的扩散速率
【摘要】 1.本外观设计产品的名称:计算器(3)。2.本外观设计产品的用途:进行数学运算的电子计算器。3.本外观设计的设计要点:主视图。4.最能表明设计要点的图片或者照片:主视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】曹亚明 【申请人类型】个人 【申请人地址】226400 江苏省南通市如东县马塘镇潮南村三组55号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】如东县 【申请号】CN201030255140.6 【申请日】2010-07-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301438811S 【公开公告日】2011-01-12 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301438811S 【授权公告日】2011-01-12 【授权公告年份】2011.0 【发明人】曹亚明 【主权项内容】无 【当前权利人】曹亚明 【当前专利权人地址】江苏省南通市如东县马塘镇潮南村三组55号
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