【摘要】 本发明公开了一种晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺，硅片去损伤制绒后，进行低浓度磷掺杂制结，同时形成扩散阻挡层；在发射极上根据正面金属化图形区域丝网印刷腐蚀阻挡浆料并清洗烘干，再进行高浓度磷掺杂；将上述带有高低浓度磷扩散的晶体硅片去除磷硅玻璃，沉积表面钝化膜，印刷背面电极，印刷铝背场，在正面高浓度磷扩散区域形成正面金属化电极，烧结成晶体硅选择性发射极太阳电池成品。本发明制备的太阳能电池，同常规晶体硅选择性太阳能电池相比，填充因子FF提高1.6％，效率提高1.3％。在形成高、低浓度掺杂过程中，由于只有两次进炉管过程，工艺简单本发明生产效率高，产能大，能耗低，适于工业化大规模生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226200 江苏省南通市启东市经济开发区林洋路888号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201010285108.1 【申请日】2010-09-17 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101976707A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】穆汉; 朱敏杰; 马跃 【主权项内容】一种晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺，包括去损伤制绒、扩散、去磷硅玻璃、镀膜、丝印，其特征是：硅片去损伤制绒后，进行低浓度磷掺杂制结，同时形成扩散阻挡层；在发射极上根据正面金属化图形区域丝网印刷腐蚀阻挡浆料并清洗烘干，再进行高浓度磷掺杂；将上述带有高低浓度磷扩散的硅片去除磷硅玻璃，沉积表面钝化膜，印刷背面电极，印刷铝背场，在正面高浓度磷扩散区域形成正面金属化电极，烧结成晶体硅选择性发射极太阳电池成品。 【当前权利人】江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市启东市经济开发区林洋路888号 【引证次数】4.0 【被引证次数】6 【他引次数】4.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6

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