【摘要】 本实用新型涉及一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构，包括阴极区、短基区、长基区和穿通扩散区，其特征是所述与穿通扩散区相连的可控硅短基区还增加了扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区，所述扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区与穿通扩散区连接。本实用新型的优点是：1、腐蚀速率快；2、台面腐蚀后槽边缘较常规更加平齐；3、台面腐蚀后槽底部较常规更加平整；4、侧向腐蚀量较常规明显减小；5、整个硅片的翘曲度比常规小。 【专利类型】实用新型 【申请人】启东吉莱电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226224 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201020240781.9 【申请日】2010-06-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201773841U 【公开公告日】2011-03-23 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201773841U 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/74; H01L29/06 【发明人】耿开远; 周健; 朱法扬 【主权项内容】一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构，包括阴极区、短基区、长基区和穿通扩散区，其特征是所述与穿通扩散区相连的可控硅短基区还增加了扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区，所述扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区与穿通扩散区连接。 【当前权利人】启东吉莱电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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