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一种消除光刻针孔危害的可控硅结构专利

时间:2026-08-04    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本实用新型涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构,包括可控硅片,其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环,所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔,所述每个一次针孔处无一次氧化层;所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上,所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔,所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层,所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧,所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度。本实用新型的优点是:彻底消除了针孔危害,大大提高了可控硅产品批次合格率。 【专利类型】实用新型 【申请人】启东吉莱电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226224 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201020240832.8 【申请日】2010-06-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201766078U 【公开公告日】2011-03-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201766078U 【授权公告日】2011-03-16 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/74 【发明人】耿开远; 周健; 朱法扬 【主权项内容】一种消除光刻针孔危害的可控硅结构,包括可控硅片,其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环,所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔,所述每个一次针孔处无一次氧化层;所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上,所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔,所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层,所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧。 【当前权利人】启东吉莱电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号

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