【摘要】 本实用新型涉及一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，其特征是还包括镓穿通扩散区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述两个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽。本实用新型的优点是：硼穿通扩散均可在温度1260摄氏度和1270摄氏度下进行穿通，穿通时间对应为170小时和120小时；穿通温度低、穿通时间短，少子寿命长，可控硅电压高；镓扩散浓度低，R□约100-200Ω/□，反向阻断电压低。 ： 【专利类型】实用新型 【申请人】启东吉莱电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226224 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201020240841.7 【申请日】2010-06-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201804871U 【公开公告日】2011-04-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201804871U 【授权公告日】2011-04-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/74; H01L29/06 【发明人】周健; 耿开远; 朱法扬 【主权项内容】一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，其特征是还包括镓穿通扩散区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述两个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽。 【当前权利人】启东吉莱电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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