【摘要】本发明公开一种金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极;所述的硅基底具有通孔结构,硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层,氮化硅截止层上表面
【摘要】 一种可升降笔筒,包括笔筒体滑轨,笔筒体由长笔筒和短笔筒构成,短笔筒设置于长笔筒内部,长笔筒的内表面设有滑轨,滑轨的一侧由上到下均匀分布有个凹槽,短笔筒的外表面上部设有一固定件,固定件在滑轨内上下移动。本发明的有益效果为:短笔筒在长笔筒中依靠滑轨能方便灵活地升降,当升降到需要的高度时,通过旋转短笔筒,使短笔筒的固定件与滑轨上的凹楷相藕合,从而将短笔筒固定于长笔筒的内表面,使长笔筒加长,因此放长笔时不会倒出,放短笔时容易取出。 【专利类型】发明申请 【申请人】王思相 【申请人类型】个人 【申请人地址】226232 江苏省启东市南阳镇武陵村三组906号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201010197183.2 【申请日】2010-06-11 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102275438A 【公开公告日】2011-12-14 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】B43M99/00 【发明人】王思相 【主权项内容】一种可升降笔筒,包括笔筒体滑轨(3),其特征在于:笔筒体由长笔筒(1)和短笔筒(2)构成,短笔筒(2)设置于长笔筒(1)内部,长笔筒(1)的内表面设有滑轨(3),滑轨(3)的一侧由上到下均匀分布有四个凹槽(5),短笔筒(2)的外表面上部设有一固定件(4),固定件(4)在滑轨(3)内上下移动。 【当前权利人】王思相 【当前专利权人地址】江苏省启东市南阳镇武陵村三组906号 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】8
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