【摘要】基于波形间断特征识别励磁涌流和区外故障CT饱和的方法,1)将差动样本电流进行差分运算;2)对差分后的差动样本电流进行s点间的积分; 3)根据当前的积分值,获取波形间断的浮动门槛值,4)当延续T时间,判据均成立,则认为区内故障特征,非
【摘要】 四苄基类铪及其合成方法和应用,其结构通式如下:其中,R是氢、烷基或卤素。四苄基类铪可用于高k材料的前驱体材料。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210093 江苏省南京市汉口路22号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010598838.7 【申请日】2010-12-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102093401A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102093401B 【授权公告日】2012-12-12 【授权公告年份】2012.0 【发明人】潘毅; 曹季; 梅海波 【主权项内容】1.四苄基类铪,其结构为:L4Hf,其中L是苄基及其衍生物,其结构通式如下: 其中,R是氢、烷基或卤素。 【当前权利人】南京大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市汉口路22号 【统一社会信用代码】12100000466007458M 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】1
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