【摘要】 太赫兹表面等离子体波温度控制开关及控制方法涉及到一种太赫兹表面等离子体波温度控制装置，和利用本征半导体等离子体频率随温度变化的特性调制太赫兹表面等离子体波的一种方法。该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5)，两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2)，两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，采用刀片(3)将太赫兹波转化为太赫兹表面等离子体波，以及过程相反的转化，通过温度控制器(5)控制本征半导体晶片(2)温度，从而改变该本征半导体的载流子浓度。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京邮电大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210003 江苏省南京市新模范马路66号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010578297.1 【申请日】2010-12-08 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102176521A 【公开公告日】2011-09-07 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102176521B 【授权公告日】2013-08-07 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01P1/15 【发明人】杨涛; 何浩培; 仪明东; 黄维; 李兴鳌 【主权项内容】一种太赫兹表面等离子体波温度控制开关，其特征在于该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5)，两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2)，两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，两个刀片(3)之间的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在半导体表面传播距离；本征半导体晶片(2)的厚度大于最小频率的太赫兹表面等离子体波(4)在半导体中的衰减距离；温度控制器(5)紧贴本征半导体晶片(2)的下表面，温度控制器(5)的温度调节范围应使得本征半导体晶片(2)的等离子体频率能够随着温度变化大于和小于所传播的表面等离子体波频率。 【当前权利人】南京方圆环球显示技术有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南京市栖霞区文苑路9号788信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】123200004260908590 【引证次数】2.0 【被引证次数】13 【他引次数】2.0 【被自引次数】9.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】13

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