【摘要】 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3，形成隧穿层；b)用原子层化学气相沉积方法在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层；c)用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。不挥发电荷存储器件包含顺序连接的隧穿层、存储层和阻挡层，利用Al2O3作为存储器件的隧穿层和阻挡层，(HfO2)x(Al2O3)1-x作为器件的存储层。本发明能够很好的提高器件的写入和擦除速度，同时这种制备方法操作简单、易于控制。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210093 江苏省南京市汉口路22号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010579216.X 【申请日】2010-12-09 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102231365A 【公开公告日】2011-11-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102231365B 【授权公告日】2013-01-09 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/285; H01L29/792; H01L29/51 【发明人】汤振杰; 刘治国; 殷江; 夏奕东; 李爱东 【主权项内容】1.一种不挥发电荷存储器件的制备方法，其特征在于具体步骤如下：a)以Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，用原子层化学气相沉积方法在衬底表面反应生成Al2O3，形成隧穿层；b)以HfCl4作为金属源，水作为氧源，用原子层化学气相沉积方法在衬底表面反应生成HfO2，然后以Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，用原子层化学气相沉积方法在衬底表面反应生成Al2O3，如此反复循环，在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层，其中0.9≥x≥0.5，通过调控沉积循环次数，控制x值；c)以Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。 【当前权利人】南京大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市汉口路22号 【统一社会信用代码】12100000466007458M 【引证次数】2.0 【被引证次数】9 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】9

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