【摘要】本发明涉及一种起落架电磁扭力锁及其控制系统，属于飞机起落架锁装置领域。该扭力锁包括轴套(5)、安装于轴套内的一号轴(1)，一号轴(1)一端依次固连有轴肩(6)和二号轴(403)；上述一号轴(1)外表面上固连有止动片(101)，当一号
【摘要】 一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法，是基于水溶液体系的两步合成法，首先采用电化学沉积方法直接在导电玻璃基底上生长ZnO纳米柱阵列；然后通过水溶液化学生长方法在原先的ZnO纳米柱端面上外延生长纳米针。本发明中的注射器状ZnO纳米结构阵列采用两步合成法制备，既保证了ZnO纳米结构阵列在导电基底上的附着强度，提高了电学传导性能，又实现了利于电子发射的尖状纳米结构的可控生长，改善了阵列结构的场发射性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010607320.5 【申请日】2010-12-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102061498A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102061498B 【授权公告日】2012-04-18 【授权公告年份】2012.0 【发明人】徐峰; 孙立涛; 董方洲; 毕恒昌; 尹奎波; 万能 【主权项内容】一种场发射用注射器状ZnO纳米结构阵列的制备方法，是基于水溶液体系的两步合成法，其特征在于：首先采用电化学沉积方法直接在导电玻璃基底上生长ZnO纳米柱阵列；然后通过水溶液化学生长方法在原先的ZnO纳米柱端面上外延生长纳米针。 该数据由<>整理 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市玄武区四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7
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