【摘要】 本发明是微波大功率，低限幅电平的砷化镓(GaAs)PIN管限幅器单片电路，采用3级结构设计，第1级采用6个相同的GaAs PIN二极管的对管结构，其中3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阳极连接微波信号传输线，阴极连接地，另3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阴极连接微波信号传输线，阳极连接地；第2级和第3级采用相同的二极管的对管结构，其中1个砷化镓PIN二极管阳极连接微波信号传输线，阴极连接地；另1个砷化镓PIN二极管阴极连接微波信号传输线，阳极连接地。优点：单片限幅器的信号通过的功率大，泄露电平小。应用方便。可通过3英寸砷化镓PIN二极管单片工艺批量生产，一致性好，成本低。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第五十五研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】210016 江苏省南京市中山东路524号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010254151.1 【申请日】2010-08-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101938259A 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H03G11/02 【发明人】陈新宇; 蒋东铭; 刘军霞 【主权项内容】微波大功率，低限幅电平的砷化镓PIN管限幅器单片电路，其特征是采用3级结构设计，限幅器单片电路第1级采用6个砷化镓PIN二极管的对管结构，其中3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阳极连接微波信号传输线，阴极连接地，另3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联，阴极连接微波信号传输线，阳极连接地；第1级的6个砷化镓PIN二极管，大小相同，结构相同；微波信号通过第1级时，当信号电压幅度小于砷化镓PIN二极管的开启电压，砷化镓PIN二极管不工作，接地的并联支路等效于一个并联电容，微波信号通过；当信号电压幅度大于砷化镓PIN二极管的开启电压，砷化镓PIN二极管导通，接地的并联支路等效于一个并联小电阻，微波信号通过电阻到地，大大减小了输出的信号功率；限幅器单片电路的第2级和第3级采用相同的二极管的对管结构，其中1个砷化镓PIN二极管阳极连接微波信号传输线，阴极连接地；另1个砷化镓PIN二极管阴极连接微波信号传输线，阳极连接地，当微波信号通过第2级和第3级，其工作原理同上，用于消除功率尖峰，进一步降低限幅电平。 【当前权利人】南京国博电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南京市江宁经济技术开发区正方中路166号 【引证次数】5.0 【被引证次数】12 【他引次数】5.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12

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