【摘要】 基于半模基片集成波导的布拉格缝隙阵列天线为了实现一种在结构上，尺寸小、轮廓低、重量轻、易共性，在性能上，高增益、高辐射效率、能够有效抑制栅瓣，该天线包括具有周期性横向缝隙(11)的上表面金属层(1)、具有金属化通孔(21)的中间介质层(2)、底面金属层(3)；其中，上表面金属层(1)上的周期性横向缝隙(11)垂直该阵列天线的长度方向排列，在上表面金属层(1)的一端即半模基片集成波导始端设有梯形微带阻抗变换器(12)，梯形微带阻抗变换器(12)的外端设有均匀50Ω微带馈线(13)，金属化通孔(21)沿该阵列天线的长度方向排列，在没有梯形微带阻抗变换器(12)的一端即半模基片集成波导终端，金属化通孔直角转向排列至上表面金属层(1)的边沿，即终端则用一排金属化通孔短路。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201020291349.2 【申请日】2010-08-11 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201946751U 【公开公告日】2011-08-24 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201946751U 【授权公告日】2011-08-24 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01Q1/38; H01Q13/08; H01Q13/10; H01Q21/00 【发明人】洪伟; 赖清华; 蒯振起 【主权项内容】一种基于半模基片集成波导的布拉格缝隙阵列天线，其特征为：该天线包括具有周期性横向缝隙(11)的上表面金属层(1)、具有金属化通孔(21)的中间介质层(2)、底面金属层(3)；其中，上表面金属层(1)上的周期性横向缝隙(11)垂直该阵列天线的长度方向排列，在上表面金属层(1)的一端即半模基片集成波导始端设有梯形微带阻抗变换器(12)，梯形微带阻抗变换器(12)的外端设有均匀50Ω微带馈线(13)，金属化通孔(21)沿该阵列天线的长度方向排列，在没有梯形微带阻抗变换器(12)的一端即半模基片集成波导终端，金属化通孔直角转向排列至上表面金属层(1)的边沿，即终端则用一排金属化通孔短路。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市玄武区四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】5 【被自引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】5

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