【摘要】 本发明涉及一种厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法，该方法用于厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强模拟模型，该模型为立方体，自上到下依次包括相互平行的掩模版(M)、补偿介质(C)、厚胶(R)和衬底(W)，在掩模版(M)设有掩模孔，该掩模孔的四个边界定点的坐标分别为A1(x1，y1，0)、A2(x2，y2，0)、A3(x3，y3，0)和A4(x4，y4，0)，补偿介质(C)的厚度为d1，厚胶(R)的厚度为d，厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)；厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)到掩膜版(M)的距离为z。该方法解决了目前没有厚胶紫外光垂直光刻工艺的高精度三维光强分布模拟方法的问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210009 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】江宁区 【申请号】CN201010236322.8 【申请日】2010-07-26 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101916043B 【公开公告日】2011-12-21 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101916043B 【授权公告日】2011-12-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G03F7/20; G06F17/50 【发明人】周再发; 黄庆安; 李伟华 【主权项内容】一种厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法，其特征在于：该方法用于厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强模拟模型，该模型为立方体，自上到下依次包括相互平行的掩模版(M)、补偿介质(C)、厚胶(R)和衬底(W)，在掩模版(M)设有掩模孔，该掩模孔的四个边界定点的坐标分别为A1(x1，y1，0)、A2(x2，y2，0)、A3(x3，y3，0)和A4(x4，y4，0)，补偿介质(C)的厚度为d1，厚胶(R)的厚度为d，厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)；厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)到掩膜版(M)的距离为z；本方法包括如下步骤：a、根据光刻工艺条件和参数，输入掩模孔四个边界顶点坐标A1(x1，y1，0)、A2(x2，y2，0)、A3(x3，y3，0)和A4(x4，y4，0)，厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)，垂直入射紫外光(L)在空气中的波长，补偿介质(C)和补偿介质(C)的厚度，厚胶(R)厚度，空气相对折射率，补偿介质(C)相对折射率，厚胶(R)相对折射率、衬底(W)相对折射率；将需要进行光强分布模拟的厚胶(R)区域细分成小正方体组成的阵列，并采用三维矩阵来代表这个阵列；b、根据补偿介质(C)的厚度，补偿介质(C)和厚胶(R)的相对折射率，确定掩模版(M)向上推移的高度；c、考虑垂直入射紫外光(L)在空气和补偿介质(C)、补偿介质(C)和厚胶(R)界面的反射与折射、厚胶(R)和衬底(W)界面的反射、以及垂直入射紫外光(L)在厚胶(R)内的衰减，得到厚胶(R)内部任意一个网格处的三维光强值的模拟模型；d、重复利用上面的厚胶内部任意一个网格处的三维光强值的模拟模型得到厚胶(R)中每一网格处的三维光强值，最终得到厚胶(R)内部斜入射紫外光的三维光强分布模拟结果。 ： 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3

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