【摘要】 本发明涉及一种大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的分子式为Ba2B5O9Cl，采用高温溶液法，以助熔剂生长晶体，该晶体紫外截至边在230nm以下，非线性光学效应约为KDP(KH2PO4)的6倍；该晶体具有倍频效应大，机械强度大，易加工，不潮解等特点，同时制备速度快，操作简单，成本低，所制晶体尺寸大等优点，适用于制作非线性的光学器件。在倍频转换，光参量振荡器等非线性等光学器件中可以得到广泛的应用。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院新疆理化技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】乌鲁木齐市 【申请人区县】新市区 【申请号】CN201010553377.1 【申请日】2010-11-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101984149A 【公开公告日】2011-03-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101984149B 【授权公告日】2012-07-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C30B29/10; C30B7/08 【发明人】潘世烈; 陈兆慧 【主权项内容】一种大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法，其特征在于该晶体的分子式为Ba2B5O9Cl，采用高温溶液法生长大尺寸晶体，具体操作按下列步骤进行：a、将用高温固相法制得的氯硼酸钡多晶粉末与助熔剂NaF和H3BO3混合，加热至880‑1000℃，恒温1‑100小时，再降温至840‑930℃，得到氯硼酸钡和助熔剂的混合溶液；b、将绑有铂丝的刚玉杆放入步骤a配制的混合溶液中，冷却到饱和点，再以5‑30℃/天的速率将混合溶液缓慢降温，获得小晶体作为籽晶；c、将步骤b获得的籽晶放入步骤a氯硼酸钡和助熔剂混合溶液中，同时以1‑50转/分的转速旋转籽晶杆，以1‑5℃/天的速率缓慢降温；d、待单晶生长停止后，将晶体提离液面，以1‑50℃/h的速率降至室温，然后缓慢从炉膛中取出晶体，即可得到氯硼酸钡非线性光学晶体。 【当前权利人】中国科学院新疆理化技术研究所 【当前专利权人地址】新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号 【统一社会信用代码】121000007383712976 【引证次数】2.0 【被引证次数】12 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【被自引次数】9.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】12

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