【摘要】 本实用新型公开一种共阴极双二极管的内部封装结构，包括管芯和引线框架；所述引线框架包含有3个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极；所述管芯由2个相互连接成一体的二极管芯片所构成；这2个二极管芯片的阴极均处于管芯的背面，并同时覆贴在引线框架的集电极上；而2个二极管芯片的阳极则处于管芯的正面，其中1个二极管芯片的阳极通过内部导线与引线框架的基极相连，另1个二极管芯片的阳极则通过内部导线与引线框架的发射极相连。这既能提高贴片的生产效率，同时也能够在一定程度上避免二极管芯片的损坏。 【专利类型】实用新型 【申请人】桂林斯壮微电子有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】541004 广西壮族自治区桂林市六合路98号 【申请人地区】中国 【申请人城市】桂林市 【申请人区县】七星区 【申请号】CN201020542876.6 【申请日】2010-09-26 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201829495U 【公开公告日】2011-05-11 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201829495U 【授权公告日】2011-05-11 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L25/07 【发明人】李勇昌; 周潘衡; 彭顺刚; 蒋振荣; 邹锋; 彭志容 【主权项内容】共阴极双二极管的内部封装结构，包括管芯(1)和引线框架(2)；所述引线框架(2)包含有3个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极；其特征在于：所述管芯(1)由2个相互连接成一体的二极管芯片(1‑1)所构成；这2个二极管芯片(1‑1)的阴极均处于管芯(1)的背面，并同时覆贴在引线框架(2)的集电极上；而2个二极管芯片(1‑1)的阳极则处于管芯(1)的正面，其中1个二极管芯片(1‑1)的阳极通过内部导线(3)与引线框架(2)的基极相连，另1个二极管芯片(1‑1)的阳极则通过内部导线(3)与引线框架(2)的发射极相连。 【当前权利人】桂林斯壮微电子有限责任公司 【当前专利权人地址】广西壮族自治区桂林市六合路98号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91450300708668903P

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